Персона:

Асеев Александр Леонидович

Академик РАН, директор Института физики полупроводников СО РАН, физик, специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур

Асеев Александр Леонидович

Академик РАН, директор Института физики полупроводников СО РАН, физик,специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.

Родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета. В Сибирском отделении РАН с 1968 года.

По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП). С 2003 года - директор Института физики полупроводников СО РАН. Одновременно - профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.

Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.

Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекуляр-но-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.

Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

с 2001 года Член президиума СО РАН, научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии.

Заместитель председателя объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, ученого совета Новосибирского государственного университета, редколлегий ведущих научных российских и международных журналов. В 1996-2005 годах входил в состав совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).

Публикации с упоминанием на сайте fedpress.ru

Добавить комментарий

Календарь

22октябряВторник

Новости России

Мировые новости